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GaN HEMT为开关应用带来低噪声功率
在这种情况下，GaN HEMT 器件的 Esw 小于 1,200 V SiC MOSFET，而 1,200 V SiC MOSFET 又小于 650 V SiC MOSFET。 GaN 开关器件7 支持高频和千瓦级功率转换。这些 ...