SK Hynix 将 LPW DRAM 称为“垂直扇出 (VFO)”。研究发现,两家公司的工艺方法在 LPDDR DRAM 堆叠方面相似。但在封装过程中铜柱的形成存在差异。
HBM产品已成为DRAM产业关注焦点 ... 使用Wafer to Wafer模式堆叠,须确保HBM base die(基础裸晶)与memory die(内存裸晶)的晶粒尺寸完全一致;而前者 ...