SK Hynix 将 LPW DRAM 称为“垂直扇出 (VFO)”。研究发现，两家公司的工艺方法在 LPDDR DRAM 堆叠方面相似。但在封装过程中铜柱的形成存在差异。

HBM产品已成为DRAM产业关注焦点 ... 使用Wafer to Wafer模式堆叠，须确保HBM base die（基础裸晶）与memory die（内存裸晶）的晶粒尺寸完全一致；而前者 ...