英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

随着GaN器件在电机驱动器和电动汽车等高电压、高频率应用中的使用，散热、封装和可靠性方面的问题也开始显现出来。通过解决重大的热管理问题，创新封装技术的最新进展旨在缓解这些挑战，从而降低成本并提高整体系统可靠性。 氮化镓(GaN)技术已被证明是 ...

前言2025年春季亚洲充电展于3月28日在深圳前海国际会议中心启幕，展会吸引了122家企业参展，覆盖电源芯片、功率器件、被动元件及工厂、品牌等快充产业全链路于一体。值得关注的是，本次参展企业中包含14家第三代半导体领域的技术领先企业。这些企业具备深厚 ...

意法半导体的 VIPerGaN65D 反激式转换器采用SOIC16封装，可以用于设计体积较小的高性价比电源、适配器和 USB-PD (电力输送) 快速充电器，最大输出功率可达65W，输入电压为通用电网电压。

罗姆公司近日推出了采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V GaN HEMT，型号为GNP2070TD-Z。该封装设计紧凑且散热性能优异，具有高电流容量和出色的开关性能。

近年来，随着人工智能、云计算及高密度电源需求的爆发式增长，功率电子系统对效率、功率密度及热管理的挑战日益严峻。传统硅基MOSFET受限于 ...

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦 ~ 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业 ...

快科技12月8日消息，最新一届IEEE国际电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了四大半导体制程工艺突破，涵盖新材料、异构封装、全环绕栅极(GAA)等 ...