GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压 GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能 ...

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能 ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多 ...

公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650V Cascode结构GaN ...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地 ...

芯导科技 SiC SBD混封IGBT产品系列 ，具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点，应用于光伏和不间断电源领域。 1200V 100A以上大电流产品系列 ，主要 ...