在 开关模式电源 中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在 开关模式电源 中的未来前景。 本文引用地址： ...

为了应对这一挑战，英诺赛科推出了具有里程碑意义的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，它不仅是全球首款实现大规模量产的100V级GaN解决方案，还通过革命性的双面散热封装与优化设计，重新定义了电源系统的性能界限。这款产品为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了新的解决方案。

前言近年来，随着人工智能、云计算及高密度电源需求的爆发式增长，功率电子系统对效率、功率密度及热管理的挑战日益严峻。传统硅基MOSFET受限于材料特性，在高压、高频场景下的性能瓶颈逐渐显现。氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性、高电子迁移率及低开关损耗 ...

在现代汽车电子系统中，栅极驱动正悄然扮演着“隐形英雄”的角色。每一个功率器件背后都有着至少一颗栅极驱动芯片。作为连接低压控制器与高功率电路的桥梁，栅极驱动不仅是功率器件高效运行的“指挥官”，更是提升电动汽车性能、可靠性和能效的关键推手。无论是电机驱动 ...

氮化镓是一种宽带隙半导体，与硅相比具有多项固有的技术优势，它重新定义了功率电子的可能性。与硅相比，GaN具有多种固有优势，这些优势直接解决了传统D类放大器的不足，解锁了新的性能水平。 改进的开关性能 ...

它还配备了功耗仪以及RGB角灯，引入了GPU-First功能，并应用了GaN氮化镓MosFET，实现了全面升级。 该电源继续沿用了配功率计的设计，功率计采用可拆 ...

2025年3月11日 英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技 半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。 CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动 汽车动力系统 应用，该市场超过100亿美元。Combo ...