每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。 半导体技术资深专家Ramalinga Reddy Kotapati在最近的工作中探索了从 FinFET 到 Gate-All-Around (GAA) 架构的突破性转变。本文深入探讨了重塑先进节点物理设计和实现的创新策略，为业内专业 ...

虽然已有领导厂商投入GAA尖端制程，但目前的半导体主流依然是鳍式场效晶体管 （Fin Field-Effect Transistor；FinFET） 架构。除了台积电、三星与Intel三家半导体大厂外，台湾联华电子、美国格芯、中国中芯半导体等都是将FinFET制程架构运用的极为成熟且极有经验的 ...

早期的GAA器件使用垂直堆叠纳米薄片的方法，即将水平放置的薄片相互分开地置入栅极之中。相对于FinFET，这种方法下的通道更容易控制。而且不同于FinFET必须并排多个鳍片才能提高电流，GAA晶体管只需多垂直堆叠几个纳米薄片并让栅极包裹通道就能够获得更强 ...