这样，当 PTEN 构象发生变化时，就会引起 FRET 效率改变，通过 2pFLIM 测量 GFP 的荧光寿命，就能反映 PTEN 的活性。为了找到最佳的传感器设计，他们对连接区域进行了优化。实验发现，优化后的传感器在基础状态下有较高的 FRET 水平（低荧光寿命），而当 PTEN 的四 ...