近期，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部研究团队联合高功率激光元件技术与工程部研究团队在n型β-Ga2O3单晶光电性能调控方面取得进展，相关成果以“Tungsten donors doping in β-gallium oxide single crystal”为题发表于Applied Physics Letters。

In this dissertation, electronic and optoelectronic devices and sensors are developed with ultrawide bandgap beta-gallium oxide (Ga2O3) and wideband gap 4H-silicon carbide (4H-SiC) single crystal ...

摘要近期，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部研究团队联合高功率激光元件技术与工程部研究团队在n型β-Ga2O3单晶光电性能调控方面取得进展。 【仪表网 研发快讯】近期，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能 ...

3月6日消息，杭州镓仁半导体Garen Semi昨日宣布推出全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸，该公司也成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

DSR300微纳器件光谱响应度测试系统 | 用于宽带和环保型光电子传感的纳米结构AgBiS2材料 作者开发了一种创新的低温、无需后剥离、种子限制的制造策略以应对这个问题，从而在任意刚性或柔性基底上实现微米或宏观尺度的花状AgBiS2纳米结构的指定图案。由图案化 ...

Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto 606-8585, Japan ...

【DT半导体】获悉，英伟达在2025 年开局不利。相关统计数据显示，今年迄今为止，这家全球领先的芯片巨头的股价已下跌超20%，公司市值与高峰期相比缩水近万亿美元。 第四季度的收益显示，该公司的业务仍在全力以赴。收入较上年同期飙升 78%，达到创纪录的 ...

Virginia Tech, U.S. Naval Research Laboratory and NCT presented a paper that represents a possible breakthrough for gallium oxide in late 2024. Researchers built a lateral Ga2O3 junction-gate ...

【DT半导体】获悉，3月7日，中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会发布消息，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司的8英寸碳化硅外延晶片厂房已顺利完成建设。这一里程碑式进展标志着瀚天天成在碳化硅外延晶片领域迈出了重要一步，有望为我国半导体产业的发展 ...