3月6日消息，杭州镓仁半导体Garen Semi昨日宣布推出全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸，该公司也成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

近期，中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部研究团队联合高功率激光元件技术与工程部研究团队在n型β-Ga2O3单晶光电性能调控方面取得进展，相关成果以“Tungsten donors doping in β-gallium oxide single crystal”为题发表于Applied Physics Letters。

GaAs表面在空气中容易发生氧化反应，生成氧化物如Ga2O3、As2O3和As2O5。这些氧化物进一步与GaAs反应生成更稳定的氧化物。氧化动力学：As原子比Ga原子 ...

最后的第19章Pearton介绍了急需热管理解决方案的另一种材料——氧化镓，这是一种新型的超宽带隙半导体，Ga2O3器件领域预计将借鉴GaN的“技术诀窍 ...

近年来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。 从行业分级看，超宽禁带半导体属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV。 更宽的禁带宽 ...

Virginia Tech, U.S. Naval Research Laboratory and NCT presented a paper that represents a possible breakthrough for gallium oxide in late 2024. Researchers built a lateral Ga2O3 junction-gate ...

DSR300微纳器件光谱响应度测试系统 | 用于宽带和环保型光电子传感的纳米结构AgBiS2材料 作者开发了一种创新的低温、无需后剥离、种子限制的制造策略以应对这个问题，从而在任意刚性或柔性基底上实现微米或宏观尺度的花状AgBiS2纳米结构的指定图案。由图案化 ...

Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto 606-8585, Japan ...