2025年3月25日，杭州镓仁半导体有限公司 (以下简称“镓仁半导体”)继发布全球首颗8英寸氧化镓单晶之后，又一次取得突破性进展，基于自主创新的氧化镓单晶生长技术与大尺寸衬底加工技术，成功制备了全球首款8英寸（200mm）氧化镓晶圆衬底。我国第四代半导体氧化镓晶圆衬底率先迈入8英寸时代，不仅填补了全球氧化镓产业空白，更标志着我国在该领域实现从跟跑到领跑的跨越。

04 结论 通过在氮气中 275℃ 下进行 3 分钟的快速热退火（RTA）优化界面质量，成功展示了具有 PFOM 0.86GW/cm2 的高性能 Ni/β-Ga2O3 CMJ-SBD。深能级瞬态谱（DLTS）显示，在 EC-0.28eV 处存在浅能级，这与干法刻蚀损伤有关。该浅能级参与电荷载流子捕获，导致电流密度降低 ...

Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, ROC ...

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