GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

据了解，GaNrich 推出的 650V GaN FET 采用TO-247、TO-220等标准封装，兼容 3-4V 的主流驱动电压，客户仅需更换组件即可有效提升能效。 高可靠性，突破 ...

3月12日，纳微半导体发布全球首款量产级650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器。 通过单级BDS（双向开关）变换器实现电源技术范式跃迁。纳微半导体指出，该技术将推动传统双级拓扑向单级架构转型，目标市场涵盖电动汽车充电（车载充电机OBC及充电桩）、光伏逆变器、储能系统及电机驱动等领域，有望开启数十亿美元级市场机遇。

电动汽车 （EV） 越来越受欢迎，因为精明的消费者，尤其是在加利福尼亚州，认识到出色的加速性能的优势，例如，当红绿灯变绿时，汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而，与内燃机 （ICE） ...

车规级应用的推动 SiC MOSFET已通过AEC-Q101认证，进入车企供应链，而超结MOSFET和GaN在车规级市场缺乏竞争力。 在技术竞争背景下，国产SiC厂商打破国际垄断，供应链安全性成为客户重要考量。例如，BASiC基本半导体的650V SiC MOSFET已实现车规级认证。 碳中和目标 ...

前言氮化镓作为宽禁带半导体材料，有高频率、高效率、高功率密度等优势，相比传统硅材料，能让电力电子设备性能和可靠性大幅提升，可大幅降低电源适配器发热和整体体积，可以有效助力厂商提升产品功率密度。为应对快充行业对氮化镓器件的市场需求，氮矽先后推出多款氮化 ...

2025（春季）亚洲充电展正式定档！将于3月28日在深圳前海国际会议中心举办，目前已有多家行业内知名第三代半导体企业报名参展。 亚洲充电展（ Asia Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区 ...

关于充电协议混乱的现象，雷科技前两年就曾写过文章解析，后来听说各家厂商都会加入统一充电联盟，让充电这件事标准化起来。 结果大家都看到了，充电联盟似乎只是一具空壳，几乎没有厂商真正重视起来，哪怕有那么一两家厂商曾推出过兼容性较强的手机和充电设备，如今也早已没了踪影。

英飞凌的崛起主要得益于汽车电子市场的爆发式增长。2023 年，英飞凌在汽车 MCU 领域的销售额同比增长近 44%，市场份额达 29%，首次超越日本瑞萨电子，登顶全球第一。2024 年，其在汽车半导体市场的整体份额也提升至 ...