MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V，未超过VDS(max）=40V。并且MOS工作的实际最大电流ID=5A，未超过ID(max）= 310A，脉冲时间1ms，看图会发现超过了1ms的SOA区，所以MOSFET会损坏。 需要注意的是MOSFET规格书给出的SOA曲线是环境温度25℃的曲线，如果你的产品环境温度更大 ...

单个MOSFET的电流能力有限，通过并联多个器件可直接提升总电流承载能力。多个器件分担功耗，减少单个器件的温升。MOSFET并联是一种常见的电路设计方法，主要用于提升电流承载能力、降低导通损耗或改善散热性能。 由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路 ...

李虹说。 2023年，华润微碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比增长135%，碳化硅MOS（MOSFET简称，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管）在碳化硅销售 ...

基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/GW ...