在当今半导体行业，技术的创新无疑是企业发展与市场竞争的关键。此次授权的专利旨在通过集成SBD结构（Schottky Barrier Diode），在不影响SiC MOSFET（氮化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）源胞的通流能力的情况下，显著降低导通损耗。这一创新设计的核心在于 ...

该研究以《Physical Model Development for Fabricating MIS-Anode-Based 1100 V AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes Grown on Silicon Substrate with Low Leakage Current》为题发表在Advanced Electronic ...

CTI是Comparative Tracking Indices的缩写，在GB 4207中被译作“比较追踪指数”，我认为还是“漏电起痕指数”更容易理解。 CTI表述了材料的绝缘特性——阻止不希望出现的电流。CTI的单位是V，在绝缘物表面添加一定量的电解液并施加电场，观察在绝缘物表面既不会持续 ...