Quantum Innovation Centre (Q.InC), Agency for Science Technology and Research (A*STAR), 2 Fusionopolis Way, Innovis #08-03, Singapore 138634, Republic of Singapore Institute of Materials Research and ...

目前常见的宽能隙材料，包含碳化矽(SiC)、氮化??(GaN)、以及正逐渐冒出头角的氧化?? (Ga2O3)。 SiC具有高击穿电压、高热导率和高电子饱和速度，广泛应用於功率电子元件；GaN则具有高电子迁移率和高击穿电压，适用於高频和高功率应用；Ga2O3具有超宽禁带宽度和高 ...