GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

2025（春季）亚洲充电展正式定档！将于3月28日在深圳前海国际会议中心举办，目前已有多家行业内知名第三代半导体企业报名参展。 亚洲充电展（ Asia Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区 ...

关于充电协议混乱的现象，雷科技前两年就曾写过文章解析，后来听说各家厂商都会加入统一充电联盟，让充电这件事标准化起来。 结果大家都看到了，充电联盟似乎只是一具空壳，几乎没有厂商真正重视起来，哪怕有那么一两家厂商曾推出过兼容性较强的手机和充电设备，如今也早已没了踪影。

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

前言氮化镓作为宽禁带半导体材料，有高频率、高效率、高功率密度等优势，相比传统硅材料，能让电力电子设备性能和可靠性大幅提升，可大幅降低电源适配器发热和整体体积，可以有效助力厂商提升产品功率密度。为应对快充行业对氮化镓器件的市场需求，氮矽先后推出多款氮化 ...

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN ...

罗姆公司近日推出了采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V GaN HEMT，型号为GNP2070TD-Z。该封装设计紧凑且散热性能优异，具有高电流容量和出色的开关性能。因此，TOLL封装在需要强大功率处理能力的应用中越来越受欢迎，尤其是在工业设备和汽车系统领域。此次发布 ...

650V耐压、TOLL封装的GaNHEMT有助于进一步提高电源效率。 全球知名半导体制造商ROHMCo.,Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaNHEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所MurataPowerSolutions的AI（人工智能）服务器电源采用。

影雅30W氮化镓充电器采用双层透明机身外壳设计，内部为白色配色，配有美规折叠插脚，小巧精致。充电器支持100-240Vac宽电压输入，输出为单USB-C接口，支持PD快充和PPS快充，满足为笔记本电脑和手机等设备充电需求··· 前言 INSIGNIA影雅是Bestbuy百思买旗下 ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压 GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能 ...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地 ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能 ...